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SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix N-Channel 100 V 42A Tc 83W Tcの表面の台紙IC PowerPAK SO-8

起源の場所 米国
ブランド名 Vishay
証明 RoHS
モデル番号 SQJ488EP-T2_GE3
最小注文数量 3000 PC
価格 Negotiable
パッケージの詳細 3000 PCS/Tape
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 15K PCS

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商品の詳細
製造業者 Vishay Siliconix 部門 単一のFETs、MOSFETs
プロダクト数 SQJ488EP-T2_GE3 技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 100ボルト 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 42A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V (最高) @ ID、VgsのRds 21mOhm @ 7.1A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.5V @ 250µA Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 83W (Tc) 実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
製造者装置パッケージ PowerPAK® SO-8 タイプの取付け 表面の台紙
ハイライト

SQJ488EP-T2_GE3

,

表面の台紙 IC

メッセージ
製品の説明

SQJ488EP-T2_GE3 N-Channel 100 V 42A (Tc)の83W (Tc)表面の台紙PowerPAK® SO-8

 

データ用紙:SQJ488EP-T2_GE3

部門 単一のFETs、MOSFETs
Mfr Vishay Siliconix
シリーズ 、AEC-Q101のTrenchFETの®自動車
プロダクト状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 100ボルト
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25掳C 42A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 4.5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds 21mOhm @ 7.1A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 2.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 27 NC @ 10ボルト
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 978 pF @ 50ボルト
電力損失(最高) 83W (Tc)
実用温度 -55°C | 175°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ PowerPAKの® SO-8
パッケージ/場合 PowerPAKの® SO-8

 

特徴•TrenchFET®力MOSFET•AEC-Q101はdを修飾した•100% RgおよびUISはテストした•物質的な類別:承諾の定義のためにhttp://www.vishay.com/doc?99912を見なさい

 

ノート

a. 限られるパッケージ

b. 脈拍テスト;脈拍幅の300のμs、使用率の2%

c. 1"に取付けられた場合正方形PCB (FR-4材料)

d. 進行中のパラメーター付き証明

e. はんだのプロフィール(www.vishay.com/doc?73257)を見なさい。PowerPAK SO-8Lは無鉛のパッケージである。鉛ターミナルの端は製造業のsingulationプロセスの結果として露出された銅(めっきされない)である。露出された銅の先端のはんだの肉付けは保証することができないし、十分な最下の側面のはんだの相互連結を保障するように要求されない

f. 改善の状態:はんだごてと手動にはんだ付けすることは無鉛の部品のために推薦されない

データ映像:
SQJ488EP-T2_GE3 Vishay Siliconix   N-Channel 100 V 42A Tc 83W Tcの表面の台紙IC PowerPAK SO-8 0