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will
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13418952874
IPB0401NM5Sの半導体ダイオードのトランジスター電子工学の構成の堀100V
| プロダクト数: | IPB0401NM5S |
|---|---|
| 製造業者: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
FDC6321C力Mosfetの配列IC 25V 680mA 460mA 700mWの表面の台紙SuperSOT™-6
| 製造業者: | onsemi |
|---|---|
| 部門: | FET、MOSFETは配列する |
| プロダクト数: | FDC6321C |
等大IRF7480MTRPBFの抵抗器のダイオードのトランジスターN-Channel 40V 217 A.C. 96W Tc DirectFET私
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
|---|---|
| Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ: | HEXFET®、StrongIRFET™ |
ATP114-TL-HのダイオードのトランジスターP-Channel Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tcの表面の台紙ATPAK
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
|---|---|
| Mfr: | onsemi |
| FETのタイプ: | P-Channel |
IPP65R110CFDAのダイオードのトランジスターおよびサイリスタのN-Channel 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
|---|---|
| Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ: | 、AEC-Q101、CoolMOS™自動車 |
IMZ120R090M1H INFINEON NチャネルMosfetのダイオード1200 V 26A Tc 115W Tc Hroughの穴PG-TO247-4-1
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
|---|---|
| Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ: | CoolSiC |
IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3
| 部門: | 単一のFETs、MOSFETs |
|---|---|
| Mfr: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ: | 、AEC-Q101、CoolMOS™自動車 |
FDS3992 NチャネルMosfetの配列IC 100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC
| 製造業者: | onsemi |
|---|---|
| 部門: | FET、MOSFETは配列する |
| プロダクト数: | FDS3992 |
BUF420AW穴TO-247-3を通した両極BJT NPNのダイオードのトランジスター450 V 30 A 200 W
| 部門: | 両極トランジスター- BJT |
|---|---|
| Mfr: | STMicroelectronics |
| トランジスター タイプ: | NPN |