FGD3N60UNDFの分離した半導体製品IGBT NPT 600V 6 60W表面の台紙TO-252AA

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x商品の詳細
製造業者 | onsemi | 部門 | 単一のIGBTs |
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プロダクト数 | FGD3N60UNDF | IGBTタイプ | NPT |
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) | 600ボルト | 現在-コレクター((最高) IC) | 6A |
現在-脈打つコレクター(Icm) | 9A | Vce () (最高) @ Vge、IC | 2.52V @ 15V、3A |
パワー最高 | 60W | 転換エネルギー | 52µJ ()、30µJ () |
入れられたタイプ | 標準 | ゲート充満 | 1.6 NC |
Td (オン/オフ) @ 25°C | 5.5ns/22ns | テスト条件 | 400V、3A、10Ohm、15V |
逆の回復時間(trr) | 21 ns | 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 | パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63 |
製造者装置パッケージ | TO-252AA | ||
ハイライト | FGD3N60UNDF,分離した半導体製品,ダイオードおよびトランジスター |
製品の説明
FGD3N60UNDF IGBT NPT 600 V 6 A 60 Wの表面の台紙TO-252AA
データ用紙:FGD3N60UNDF
部門 | 単一のIGBTs |
Mfr | onsemi |
プロダクト状態 | 時代遅れ |
IGBTのタイプ | NPT |
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) | 600ボルト |
現在-コレクター((最高) IC) | 6 A |
現在-脈打つコレクター(Icm) | 9 A |
Vce () (最高) @ Vge、IC | 2.52V @ 15V、3A |
パワー最高 | 60 W |
転換エネルギー | 52µJ()、30µJ() |
入れられたタイプ | 標準 |
ゲート充満 | 1.6 NC |
Tdの(オン/オフ) @ 25°C | 5.5ns/22ns |
テスト条件 | 400V、3A、10Ohm、15V |
逆の回復時間(trr) | 21 ns |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63 |
製造者装置パッケージ | TO-252AA |
基礎プロダクト数 | FGD3N60 |
追加的なリソース
属性 | 記述 |
他の名前 | FGD3N60UNDFCT |
FGD3N60UNDFTR | |
FGD3N60UNDFDKR | |
標準パッケージ | 2500 |
データ映像:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgd3n60undf-d.pdf
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