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ATP114-TL-HのダイオードのトランジスターP-Channel Mosfet 60 V 55A Ta 60W Tcの表面の台紙ATPAK
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | onsemi |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | ATP114-TL-H |
| 最小注文数量 | 1000 PC |
| 価格 | Negotiable |
| パッケージの詳細 | 1000 PCS/Tube |
| 受渡し時間 | 2-3日 |
| 支払条件 | L/C、D/A、D/P、T/T |
| 供給の能力 | 3K PCS |
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x商品の詳細
| 部門 | 単一のFETs、MOSFETs | Mfr | onsemi |
|---|---|---|---|
| FETのタイプ | P-Channel | 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 60ボルト | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 55A （Ta） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 4V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds | 16mOhm @ 28A、10V |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 92 NC @ 10ボルト | Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 4000 pF @ 20ボルト | 電力損失（最高） | 60W （Tc） |
| 実用温度 | 150°C （TJ） | タイプの取付け | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | ATPAK | パッケージ/場合 | ATPAK （2 Leads+Tab） |
| ハイライト | P チャネル MOSFET 60 V 55A Ta 60W Tc ATP114-TL-H、P チャネル MOSFET 60 V Ta 60W Tc ATP114-TL-H、P チャネル MOSFET 60 V Ta 60W ATP114-TL-H,P-Channel Mosfets 60 V Ta 60W Tc ATP114-TL-H,P-Channel Mosfets 60 V Ta 60W ATP114-TL-H |
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製品の説明
ATP114-TL-H Pチャンネル 60 V 55A (Ta) 60W (Tc) 面実装 ATPAK
特徴：ATP114-TL-H
| カテゴリー | シングルFET、MOSFET |
| 製造元 | オンセミ |
| FETタイプ | Pチャンネル |
| テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 55A(タ) |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4V、10V |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 16ミリオーム @ 28A、10V |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 92nC @ 10V |
| Vgs (最大) | ±20V |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
| 消費電力(最大) | 60W(Tc) |
| 動作温度 | 150°C（TJ） |
| 取付タイプ | 表面実装 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ATPAK |
| パッケージ・ケース | ATPAK (2 リード + タブ) |
| 基本製品番号 | ATP114 |
追加リソース
| 属性 | 説明 |
| 他の名前 | ATP114-TL-HOSDKR |
| ATP114-TL-ホスト | |
| ATP114-TL-H-ND | |
| ATP114-TL-HOSCT | |
| 標準パッケージ | 3000 |
データ画像:https://www.mouser.cn/datasheet/2/308/1/ATP114_D-2310176.pdf
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