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FDC6321C力Mosfetの配列IC 25V 680mA 460mA 700mWの表面の台紙SuperSOT™-6

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x商品の詳細
製造業者 | onsemi | 部門 | FET、MOSFETは配列する |
---|---|---|---|
プロダクト数 | FDC6321C | 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
構成 | NおよびP-Channel | FETの特徴 | 論理のレベルのゲート |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 25V | 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 680mA、460mA |
(最高) @ ID、VgsのRds | 450mOhm @ 500mA、4.5V | Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.5V @ 250µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 2.3nC @ 5V | 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V |
パワー最高 | 700mW | 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 | パッケージ/場合 | SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6 |
製造者装置パッケージ | SuperSOT™-6 | ||
ハイライト | パワーMOSFETアレイIC 25V 680mA FDC6321C、パワーMOSFETアレイIC 25V FDC6321C、パワーMOSFETアレイIC 680mA FDC6321C,Power Mosfet Array Ics 25V FDC6321C,Power Mosfet Array Ics 680mA FDC6321C |
製品の説明
FDC6321C Mosfet アレイ 25V 680mA、460mA 700mW 面実装 SuperSOT™-6
データシート:FDC6321C
カテゴリー | FET、MOSFETアレイ |
製造元 | オンセミ |
製品の状態 | アクティブ |
テクノロジー | MOSFET (金属酸化物) |
構成 | N および P チャネル |
FETの特徴 | ロジックレベルゲート |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25V |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 680mA、460mA |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 450ミリオーム@500mA、4.5V |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250μA |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 2.3nC @ 5V |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 50pF @ 10V |
パワー - 最大 | 700mW |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
取付タイプ | 表面実装 |
パッケージ・ケース | SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6 |
サプライヤーデバイスパッケージ | SuperSOT™-6 |
基本製品番号 | FDC6321 |
追加リソース
属性 | 説明 |
他の名前 | FDC6321CTR |
FDC6321CCT | |
FDC6321C-ND | |
FDC6321CDKR | |
標準パッケージ | 3000 |
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