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FDC6321C力Mosfetの配列IC 25V 680mA 460mA 700mWの表面の台紙SuperSOT™-6

起源の場所 米国
ブランド名 onsemi
証明 RoHS
モデル番号 FDC6321C
最小注文数量 3000pcs
価格 Negotiable
パッケージの詳細 3000PCS/Tape
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 30K PCS

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商品の詳細
製造業者 onsemi 部門 FET、MOSFETは配列する
プロダクト数 FDC6321C 技術 MOSFET (金属酸化物)
構成 NおよびP-Channel FETの特徴 論理のレベルのゲート
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 25V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 680mA、460mA
(最高) @ ID、VgsのRds 450mOhm @ 500mA、4.5V Vgs ((最高) Th) @ ID 1.5V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 2.3nC @ 5V 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 50pF @ 10V
パワー最高 700mW 実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6
製造者装置パッケージ SuperSOT™-6
ハイライト

パワーMOSFETアレイIC 25V 680mA FDC6321C、パワーMOSFETアレイIC 25V FDC6321C、パワーMOSFETアレイIC 680mA FDC6321C

,

Power Mosfet Array Ics 25V FDC6321C

,

Power Mosfet Array Ics 680mA FDC6321C

メッセージ
製品の説明

FDC6321C Mosfet アレイ 25V 680mA、460mA 700mW 面実装 SuperSOT™-6

 

データシート:FDC6321C

カテゴリー FET、MOSFETアレイ
製造元 オンセミ
製品の状態 アクティブ
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
構成 N および P チャネル
FETの特徴 ロジックレベルゲート
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 25V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 680mA、460mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 450ミリオーム@500mA、4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID 1.5V @ 250μA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 2.3nC @ 5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 50pF @ 10V
パワー - 最大 700mW
動作温度 -55°C~150°C(TJ)
取付タイプ 表面実装
パッケージ・ケース SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ SuperSOT™-6
基本製品番号 FDC6321

追加リソース

属性 説明
他の名前 FDC6321CTR
  FDC6321CCT
  FDC6321C-ND
  FDC6321CDKR
標準パッケージ 3000

 

データ画像:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fdc6321c-d.pdf
FDC6321C力Mosfetの配列IC 25V 680mA 460mA 700mWの表面の台紙SuperSOT™-6 0