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コンタクトパーソン :
will
電話番号 :
13418952874
IMZ120R090M1H INFINEON NチャネルMosfetのダイオード1200 V 26A Tc 115W Tc Hroughの穴PG-TO247-4-1
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Infineon Technologies |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | IMZ120R090M1H |
| 最小注文数量 | 30 PCS |
| 価格 | Negotiable |
| パッケージの詳細 | 30 PCS/Tube |
| 受渡し時間 | 2-3日 |
| 支払条件 | L/C、D/A、D/P、T/T |
| 供給の能力 | 18K PCS |
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x商品の詳細
| 部門 | 単一のFETs、MOSFETs | Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
|---|---|---|---|
| シリーズ | CoolSiC | プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel | 技術 | SiCFET （炭化ケイ素） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 1200V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 26A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 15V、18V | （最高） @ ID、VgsのRds | 117mOhm @ 8.5A、18V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 5.7V @ 3.7mA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 21 NC @ 18ボルト |
| Vgs （最高） | +23V、-7V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 707 pF @ 800ボルト |
| 電力損失（最高） | 115W （Tc） | 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して | 製造者装置パッケージ | PG-TO247-4-1 |
| パッケージ/場合 | TO-247-4 | ||
| ハイライト | nチャネルmosfetのダイオード,IMZ120R090M1H INFINEON,穴を通したダイオード |
||
製品の説明
IMZ120R090M1HのN-Channel 1200 V 26A （穴PG-TO247-4-1を通したTc） 115W （Tc）
特徴:IMZ120R090M1H
| 部門 | 単一のFETs、MOSFETs |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| シリーズ | CoolSiC |
| パッケージ | 管 |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiCFET （炭化ケイ素） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 1200ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID）の@ 25°C | 26A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 15V、18V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 117mOhm @ 8.5A、18V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 5.7V @ 3.7mA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 21 NC @ 18ボルト |
| Vgs （最高） | +23V、-7V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 707 pF @ 800ボルト |
| 電力損失（最高） | 115W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | PG-TO247-4-1 |
| パッケージ/場合 | TO-247-4 |
| 基礎プロダクト数 | IMZ120 |
追加的なリソース
| 属性 | 記述 |
| 他の名前 | 448-IMZ120R090M1HXKSA1 |
| IMZ120R090M1HXKSA1-ND | |
| SP001946182 | |
| 標準パッケージ | 30 |
|
±
|
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