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等大IRF7480MTRPBFの抵抗器のダイオードのトランジスターN-Channel 40V 217 A.C. 96W Tc DirectFET私

起源の場所 米国
ブランド名 Infineon Technologies
証明 RoHS
モデル番号 IRF7480MTRPBF
最小注文数量 4800 PCS
価格 Negotiable
パッケージの詳細 4800PCS/Tube
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 45K PCS

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商品の詳細
部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ HEXFET®、StrongIRFET™ FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物) 流出させなさいに源の電圧(Vdss) 40ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 217A (Tc) ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 6V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds 1.2mOhm @ 132A、10V Vgs ((最高) Th) @ ID 3.9V @ 150µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 185 NC @ 10ボルト Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 6680 pF @ 25ボルト 電力損失(最高) 96W (Tc)
実用温度 -55°C | 150°C (TJ) タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ 等大DirectFET™私
ハイライト

40V 217A C 96W Tc DirectFET アイソメトリック IRF7480MTRPBF、40V C 96W Tc DirectFET アイソメトリック IRF7480MTRPBF、IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET アイソメトリック

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40V C 96W Tc DirectFET Isometrics IRF7480MTRPBF

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IRF7480MTRPBF 40V C 96W Tc DirectFET Isometrics

メッセージ
製品の説明

IRF7480MTRPBF Nチャンネル 40 V 217A (Tc) 96W (Tc) 面実装 DirectFET™ アイソメトリック ME

 

特徴:

カテゴリー シングルFET、MOSFET
製造元 インフィニオン テクノロジーズ
FETタイプ Nチャンネル
テクノロジー MOSFET (金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) 40V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25℃ 217A(Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) 6V、10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 1.2ミリオーム @ 132A、10V
Vgs(th) (最大) @ ID 3.9V @ 150μ
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 185nC @ 10V
Vgs (最大) ±20V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 6680 pF @ 25 V
消費電力(最大) 96W(Tc)
動作温度 -55~150(TJ)
取付タイプ 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ DirectFET アイソメトリック ME
基本製品番号 IRF7480

追加リソース

属性 説明
他の名前 IRF7480MTRPBFCT
  IRF7480MTRPBF-ND
  IRF7480MTRPBFTR
  SP001566252
  IRF7480MTRPBFDKR
標準パッケージ 4800

 

データ画像:https://www.infineon.com/dgdl/irf7480m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ff8fa41c30

 

 

 

 

等大IRF7480MTRPBFの抵抗器のダイオードのトランジスターN-Channel 40V 217 A.C. 96W Tc DirectFET私 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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