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IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3

起源の場所 米国
ブランド名 Infineon Technologies
証明 RoHS
モデル番号 IPP65R110CFDA
最小注文数量 50 PCS
価格 Negotiable
パッケージの詳細 50 PCS/Tube
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 6K PCS

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商品の詳細
部門 単一のFETs、MOSFETs Mfr インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS™自動車 プロダクト状態 活動的
FETのタイプ N-Channel 技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 650V 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 31.2A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V (最高) @ ID、VgsのRds 110mOhm @ 12.7A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4.5V @ 1.3mA ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 118 NC @ 10ボルト
Vgs (最高) ±20V 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 3240 pF @ 100ボルト
電力損失(最高) 277.8W (Tc) 実用温度 -40°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して 製造者装置パッケージ PG-TO220-3
ハイライト

IPP65R110CFDA

,

高い発電nチャネルmosfet

,

論理のレベルnチャネルmosfet

メッセージ
製品の説明

IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A (穴PG-TO220-3を通したTc) 277.8W (Tc)

 

特徴:IPP65R110CFDA

部門 単一のFETs、MOSFETs
Mfr インフィニオン・テクノロジーズ
シリーズ 、AEC-Q101、CoolMOS自動車
プロダクト状態 活動的
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 650ボルト
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25ツーC 31.2A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 110mOhm @ 12.7A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4.5V @ 1.3mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 118 NC @ 10ボルト
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 3240 pF @ 100ボルト
電力損失(最高) 277.8W (Tc)
実用温度 -40°C~ 150の°C (TJ)
タイプの取付け 穴を通して
製造者装置パッケージ PG-TO220-3
パッケージ/場合 TO-220-3
基礎プロダクト数 IPP65R110

追加的なリソース

属性 記述
他の名前 IPP65R110CFDAAKSA1-ND
  448-IPP65R110CFDAAKSA1
  SP000895234
標準パッケージ 50

データ映像:https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPX65R110CFDA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304336797ff90136ba7c820925a5
 
IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 0
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

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