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IPP65R110CFDAの高い発電NチャネルMosfetの論理のレベルN 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3

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x商品の詳細
部門 | 単一のFETs、MOSFETs | Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
---|---|---|---|
シリーズ | 、AEC-Q101、CoolMOS™自動車 | プロダクト状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel | 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 650V | 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 31.2A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | (最高) @ ID、VgsのRds | 110mOhm @ 12.7A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4.5V @ 1.3mA | ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 118 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V | 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 3240 pF @ 100ボルト |
電力損失(最高) | 277.8W (Tc) | 実用温度 | -40°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 穴を通して | 製造者装置パッケージ | PG-TO220-3 |
ハイライト | IPP65R110CFDA,高い発電nチャネルmosfet,論理のレベルnチャネルmosfet |
製品の説明
IPP65R110CFDAのN-Channel 650 V 31.2A (穴PG-TO220-3を通したTc) 277.8W (Tc)
特徴:IPP65R110CFDA
部門 | 単一のFETs、MOSFETs |
Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
シリーズ | 、AEC-Q101、CoolMOS自動車 |
プロダクト状態 | 活動的 |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 650ボルト |
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25ツーC | 31.2A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 110mOhm @ 12.7A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4.5V @ 1.3mA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 118 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 3240 pF @ 100ボルト |
電力損失(最高) | 277.8W (Tc) |
実用温度 | -40°C~ 150の°C (TJ) |
タイプの取付け | 穴を通して |
製造者装置パッケージ | PG-TO220-3 |
パッケージ/場合 | TO-220-3 |
基礎プロダクト数 | IPP65R110 |
追加的なリソース
属性 | 記述 |
他の名前 | IPP65R110CFDAAKSA1-ND |
448-IPP65R110CFDAAKSA1 | |
SP000895234 | |
標準パッケージ | 50 |
±
|
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