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FDS3992 NチャネルMosfetの配列IC 100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC

起源の場所 米国
ブランド名 onsemi
証明 RoHS
モデル番号 FDS3992
最小注文数量 2500pcs
価格 Negotiable
パッケージの詳細 2500PCS/Tape
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 7.5K PCS

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商品の詳細
製造業者 onsemi 部門 FET、MOSFETは配列する
プロダクト数 FDS3992 シリーズ PowerTrench®
技術 MOSFET (金属酸化物) 構成 2 N-Channel (二重)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 100ボルト 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 4.5A
(最高) @ ID、VgsのRds 62mOhm @ 4.5A、10V Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 15nC @ 10V 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 750pF @ 25V
パワー最高 2.5W 実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ 8-SOIC
ハイライト

FDS3992

,

nチャネルmosfetの配列

,

チャネルmosfetの配列IC

メッセージ
製品の説明

FDS3992 Mosfetの配列100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC

 

データ用紙:FDS3992

部門 FET、MOSFETは配列する
Mfr onsemi
シリーズ PowerTrench
プロダクト状態 活動的
技術 MOSFET (金属酸化物)
構成 2 N-Channel (二重)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 100V
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25°C 4.5A
(最高) @ ID、VgsのRds 62mOhm @ 4.5A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4V @ 250µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 750pF @ 25V
パワー最高 2.5W
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
パッケージ/場合 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
製造者装置パッケージ 8-SOIC
基礎プロダクト数 FDS39

 

追加的なリソース

属性 記述
他の名前 FDS3992TR
FDS3992CT
FDS3992DKR
FDS3992-ND
標準パッケージ 2500

 

データ映像:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fds3992-d.pdf
FDS3992 NチャネルMosfetの配列IC 100V 4.5A 2.5Wの表面の台紙8-SOIC 0