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L9960TRの運動制御の運転者の破片半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD

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x商品の詳細
部門 | 完全な半橋運転者 | Mfr | STMicroelectronics |
---|---|---|---|
シリーズ | 、AEC-Q100自動車 | インターフェイス | SPI |
負荷タイプ | 、容量性誘導、抵抗 | 技術 | 力MOSFET |
Rdsの(タイプ) | 400mOhm LS + HS | 電圧-供給 | 4.5V | 5.5V |
電圧-負荷 | 4.5V~28V | 実用温度 | -40°C | 170°C (TJ) |
特徴 | 速度制御殺害した | 障害保護 | 過熱、短絡 |
パッケージ/場合 | 36-PowerBFSOP (0.295"、7.50mmの幅) | 製造者装置パッケージ | PowerSSO-36 EPD |
ハイライト | L9960TR,運動制御の運転者の破片,L9960TR STMicroelectronics |
製品の説明
L9960TR半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD
記述:
装置は自動車適用の抵抗および誘導負荷のための統合されたH橋である。
ターゲット塗布は燃料制御のアクチュエーター、排気再循環の制御弁を含んでいる
ターボ、折り返し制御および電気ポンプのような一般目的DCモーター。運転の作戦はある
構成可能PWM/DIRピンおよびIN1/IN2によって高められる。H橋は統合されて惰性で動く含んでいる
ダイオード。惰性で動く条件の場合には、低側だけはダイオードの減るために並行してつけられる
電力損失。統合された連続周辺機器インターフェイス(SPI)は装置を調節することを可能にする
変数、すべてのオペレーティング・モードを制御し、診断情報を読むため。
速い細部:
製造業者
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STMicroelectronics
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製造業者プロダクト数
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L9960TR
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記述
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IC半分橋運転者PWRSSO36
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詳細な説明
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半分橋(2)運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD
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製品特質:
タイプ
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記述
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部門
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完全な半橋運転者
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Mfr
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STMicroelectronics
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シリーズ
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、AEC-Q100自動車
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プロダクト状態
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活動的
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出力環境設定
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半分橋(2)
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適用
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一般目的
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インターフェイス
|
SPI
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負荷タイプ
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、容量性誘導、抵抗
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技術
|
力MOSFET
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Rdsの(タイプ)
|
400mOhm LS + HS
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電圧-供給
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4.5V | 5.5V
|
電圧-負荷
|
4.5V | 28V
|
実用温度
|
-40°C | 170°C (TJ)
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特徴
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速度制御殺害した
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欠陥の保護
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温度に、短絡
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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36-PowerBFSOP (0.295"、7.50mmの幅)
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製造者装置パッケージ
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PowerSSO-36 EPD
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基礎プロダクト数
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L9960
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追加的なリソース:
属性 | 記述 |
他の名前 |
497-17609-1
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497 17609 6 ND
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|
497-L9960DKR
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|
497-17609-2
|
|
L9960TR-ND
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497-17609-6
|
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497 17609 1 ND
|
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497-L9960TR
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497 17609 2 ND
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497-L9960CT
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標準パッケージ | 1000 |
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