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L9960TRの運動制御の運転者の破片半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD

起源の場所 マレーシア
ブランド名 ST
証明 RoHS
モデル番号 L9960TR
最小注文数量 1000 PC
価格 Negotiable
パッケージの詳細 1000 PCS/Tape
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 6K PCS

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商品の詳細
部門 完全な半橋運転者 Mfr STMicroelectronics
シリーズ 、AEC-Q100自動車 インターフェイス SPI
負荷タイプ 、容量性誘導、抵抗 技術 力MOSFET
Rdsの(タイプ) 400mOhm LS + HS 電圧-供給 4.5V | 5.5V
電圧-負荷 4.5V~28V 実用温度 -40°C | 170°C (TJ)
特徴 速度制御殺害した 障害保護 過熱、短絡
パッケージ/場合 36-PowerBFSOP (0.295"、7.50mmの幅) 製造者装置パッケージ PowerSSO-36 EPD
ハイライト

L9960TR

,

運動制御の運転者の破片

,

L9960TR STMicroelectronics

メッセージ
製品の説明

L9960TR半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD

記述:

装置は自動車適用の抵抗および誘導負荷のための統合されたH橋である。

ターゲット塗布は燃料制御のアクチュエーター、排気再循環の制御弁を含んでいる

ターボ、折り返し制御および電気ポンプのような一般目的DCモーター。運転の作戦はある

構成可能PWM/DIRピンおよびIN1/IN2によって高められる。H橋は統合されて惰性で動く含んでいる

ダイオード。惰性で動く条件の場合には、低側だけはダイオードの減るために並行してつけられる

電力損失。統合された連続周辺機器インターフェイス(SPI)は装置を調節することを可能にする

変数、すべてのオペレーティング・モードを制御し、診断情報を読むため。

 

速い細部:

製造業者
STMicroelectronics
製造業者プロダクト数
L9960TR
記述
IC半分橋運転者PWRSSO36
詳細な説明
半分橋(2)運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD

 

製品特質:

タイプ
記述
部門
完全な半橋運転者
Mfr
STMicroelectronics
シリーズ
、AEC-Q100自動車
プロダクト状態
活動的
出力環境設定
半分橋(2)
適用
一般目的
インターフェイス
SPI
負荷タイプ
、容量性誘導、抵抗
技術
力MOSFET
Rdsの(タイプ)
400mOhm LS + HS
電圧-供給
4.5V | 5.5V
電圧-負荷
4.5V | 28V
実用温度
-40°C | 170°C (TJ)
特徴
速度制御殺害した
欠陥の保護
温度に、短絡
タイプの取付け
表面の台紙
パッケージ/場合
36-PowerBFSOP (0.295"、7.50mmの幅)
製造者装置パッケージ
PowerSSO-36 EPD
基礎プロダクト数
L9960

 

追加的なリソース:

属性 記述
他の名前
497-17609-1
497 17609 6 ND
497-L9960DKR
497-17609-2
L9960TR-ND
497-17609-6
497 17609 1 ND
497-L9960TR
497 17609 2 ND
497-L9960CT
標準パッケージ 1000

 

データ映像:https://www.st.com/content/ccc/resource/technical/document/datasheet/group0/48/e5/6a/1a/d4/8e/47/7e/DM00208185/files/DM00208185.pdf/jcr:content/translations/en.DM00208185.pdf

L9960TRの運動制御の運転者の破片半分橋運転者一般目的力MOSFET PowerSSO-36 EPD 0