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AT28HC64BF-12SU平行EEPROMの記憶ICチップ製造業者64Kbit 120 Ns 28-SOIC

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x部門 | 記憶 | Mfr | マイクロチップ・テクノロジー |
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パッケージ | 管 | 記憶タイプ | 不揮発性 |
記憶フォーマット | EEPROM | 技術 | EEPROM |
記憶容量 | 鎮ㄨ鎵剧殑璧勬簮宸茶鍒犻櫎銆佸凡鏇村悕鎴栨殏鏃朵笉鍙敤銆 | 記憶構成 | 8K X 8 |
記憶インターフェイス | 平行 | アクセス時間 | 120 ns |
電圧-供給 | 4.5V | 5.5V | 実用温度 | -40°C | 85°C (TC) |
ハイライト | AT28HC64BF-12SU IC 64Kbit 28-SOIC,IC 64Kbit 28-SOIC AT28HC64BF-12SU,IC 28-SOIC 64Kbit AT28HC64BF-12SU |
AT28HC64BF-12SU EEPROMの記憶IC 64Kbit平行120 Ns 28-SOIC
記述:
AT28HC64BFは高性能電気消去可能な、プログラム可能読み取り専用メモリ(EEPROM)である。
記憶のその64Kは8ビットにつき8,192ワードとして組織される。Atmelの高度の不揮発性CMOSと製造される
技術はちょうど220 MWの電力損失との55 nsに、装置アクセス時間を提供する。装置がある時
選択解除されて、CMOSのスタンバイの流れは100 µAよりより少しである。
速い細部:
製造業者
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マイクロチップ・テクノロジー
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製造業者プロダクト数
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AT28HC64BF-12SU
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製造業者の標準的な調達期間
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52週
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詳細な説明
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EEPROMの記憶IC 64Kbit平行120 ns 28-SOIC
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製品特質:
タイプ
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記述
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部門
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記憶
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Mfr
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マイクロチップ・テクノロジー
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パッケージ
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管
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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EEPROM
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技術
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EEPROM
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記憶容量
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64Kbit
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記憶構成
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8K X 8
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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10ms
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アクセス時間
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120 ns
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電圧-供給
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4.5V | 5.5V
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実用温度
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-40°C | 85°C (TC)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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パッケージ/場合
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28-SOIC (0.295"、7.50mmの幅)
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製造者装置パッケージ
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28-SOIC
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基礎プロダクト数
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AT28HC64
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追加的なリソース:
属性 | 記述 |
他の名前 | AT28HC64BF12SU |
標準パッケージ | 27 |
特徴
•速い読み取りアクセスタイムの70 ns
•自動ページは操作を– 64バイトのための内部アドレスそしてデータ掛け金書く
•速くサイクル時間を書きなさい
–ページはサイクル時間を書く:2氏最高(標準)
– 64バイトのページへの1つは操作を書く
•低い電力の消滅
– 40 mAの活動的な流れ
– 100つのµA CMOSのスタンバイの流れ
•ハードウェアおよびソフトウェア データ保護
•終わりのためのデータ投票そしてトグル ビットはの検出を書く
•高い信頼性CMOSの技術
–持久力:100,000の周期
–データ保持:10年
•単一の5 V ±10%の供給
•CMOSおよびTTLの多用性がある入出力
•JEDECはバイト幅のPinoutを承認した
•産業温度較差
•緑の(Pb/Halideなしの)包装だけ
データ映像: