SCS212AJTLL分離したROHMの半導体ダイオード650 V 12Aの表面の台紙TO-263AB
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x商品の詳細
| プロダクト数 | SCS212AJTLL | 製造業者 | Rohmの半導体 |
|---|---|---|---|
| 技術 | SiC （炭化ケイ素）ショットキー | 電圧- DCの逆（（最高） Vr） | 650ボルト |
| 現在-調整される平均（Io） | 12A | 前方電圧- （（最高） Vf） @ | 1.55 V @ 12 A |
| 速度 | 回復時間> 500mA無し（Io） | 逆の回復時間（trr） | 0ns |
| 現在-逆の漏出@ Vr | 240 µA @ 600ボルト | タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB | 実用温度-接続点 | 175°C （最高） |
| ハイライト | SCS212AJTLL,SCS212AJTLL ROHMの半導体,分離した半導体製品 |
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製品の説明
SCS212AJTLLのダイオード650 V 12Aの表面の台紙TO-263AB
データ用紙:SCS212AJTLL
| 部門 | 単一のダイオード |
| Mfr | Rohmの半導体 |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| 技術 | SiC （炭化ケイ素）ショットキー |
| 電圧- DCの逆（（最高） Vr） | 650ボルト |
| 現在-調整される平均（Io） | 12A |
| 前方電圧- （（最高） Vf） @ | 1.55 V @ 12 A |
| 速度 | 回復時間> 500mA無し（Io） |
| 逆の回復時間（trr） | 0 ns |
| 現在-逆の漏出@ Vr | 240 µA @ 600ボルト |
| タイプの取付け | 表面の台紙 |
| パッケージ/場合 | TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB |
| 製造者装置パッケージ | TO-263AB |
| 実用温度-接続点 | 175°C （最高） |
| 基礎プロダクト数 | SCS212 |
特徴:
・のより短い回復時間
・は温度の依存を減らした
可能な・の高速切換え
適用
・ PFC地勢学を後押しするため
・の二次側面の改正
・のデータ センタ
・ PVの電源調整器
DataPicture:https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/sbd/scs212aj-e.pdf
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