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RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHMの半導体IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W

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x部門 | 単一のIGBTs | Mfr | Rohmの半導体 |
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パッケージ | 管 | IGBTタイプ | トレンチフィールドストップ |
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) | 1200V | 現在-コレクター((最高) IC) | 80A |
現在-脈打つコレクター(Icm) | 120A | Vce () (最高) @ Vge、IC | 2.1V @ 15V、40A |
パワー最高 | 555 W | 入れられたタイプ | 標準 |
ゲート充満 | 104 NC | テスト条件 | 600V、40A、10Ohm、15V |
逆の回復時間(trr) | 198 ns | 実用温度 | -40℃~175℃ |
タイプの取付け | 穴を通して | 製造者装置パッケージ | TO-247N |
ハイライト | RGS80TSX2DHRC11,IGBTの堀の視野絞り,rohmに247n |
穴TO-247Nを通したRGS80TSX2DHRC11 IGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W
特徴:
●低いコレクター-エミッターの飽和電圧
●短絡の抵抗の時間10μs
●AEC-Q101に修飾される
●まさに速く及び柔らかい回復FRDで造られる
●Pb -自由な鉛のめっき;迎合的なRoHS
記述:
RGSの視野絞りの堀自動車IGBTs
ROHMの半導体RGSの視野絞りの堀自動車IGBTsはAEC-Q101評価される自動車IGBTsそれである
1200Vおよび650V変形で利用できてであって下さい。これらのIGBTsは貢献するクラス一流の低い伝導の損失を提供する
サイズを減らし、適用の効率を改善することに。RGS IGBTsはオリジナルの堀ゲートを利用する
薄ウエファーの技術。これらの技術は低いcollector-emitterの飽和電圧(VCE助ける(坐った)達成を)のを使って
減らされた転換の損失。これらのIGBTsはいろいろ高圧および高い流れの高められた省エネを提供する
適用。
速い細部:
製造業者
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Rohmの半導体
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製造業者プロダクト数
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RGS80TSX2DHRC11
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記述
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IGBTの堀FLD 1200V 80A TO247N
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詳細な説明
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穴TO-247Nを通したIGBTの堀の視野絞り1200 V 80 A 555 W
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製品特質:
タイプ
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記述
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部門
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単一のIGBTs
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Mfr
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Rohmの半導体
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プロダクト状態
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活動的
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IGBTのタイプ
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堀の視野絞り
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電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)
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1200ボルト
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現在-コレクター((最高) IC)
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80 A
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現在-脈打つコレクター(Icm)
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120 A
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Vce () (最高) @ Vge、IC
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2.1V @ 15V、40A
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パワー最高
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555 W
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転換エネルギー
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3mJ ()、3.1mJ ()
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入れられたタイプ
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標準
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ゲート充満
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104 NC
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Td (オン/オフ) @ 25°C
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49ns/199ns
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テスト条件
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600V、40A、10Ohm、15V
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逆の回復時間(trr)
|
198 ns
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実用温度
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-40°C | 175°C (TJ)
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タイプの取付け
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穴を通して
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パッケージ/場合
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TO-247-3
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製造者装置パッケージ
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TO-247N
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基礎プロダクト数
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RGS80
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追加的なリソース:
属性 | 記述 |
他の名前 | 846-RGS80TSX2DHRC11 |
標準パッケージ | 30 |
データ映像:https://fscdn.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/igbt/rgs80tsx2dhr-e.pdf