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コンタクトパーソン :
will
電話番号 :
13418952874
穴TO-220ABを通したIRFB7434PBF NチャネルMosfet IC 40 V 195A Tc 294W Tc
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Infineon Technologies |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | IRFB7434PBF |
| 最小注文数量 | 50 PCS |
| 価格 | Negotiable |
| パッケージの詳細 | 50 PCS/Tube |
| 受渡し時間 | 2-3日 |
| 支払条件 | L/C、D/A、D/P、T/T |
| 供給の能力 | 20K PCS |
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x商品の詳細
| 部門 | 単一のFETs、MOSFETs | Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
|---|---|---|---|
| シリーズ | HEXFET®、StrongIRFET™ | プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel | 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 40V | 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C | 195A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 6V、10V | （最高） @ ID、VgsのRds | 1.6mOhm @ 100A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.9V @ 250µA | ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 324 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V | 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 10820 pF @ 25ボルト |
| 電力損失（最高） | 294W （Tc） | 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して | 製造者装置パッケージ | TO-220AB |
| ハイライト | mosfet nチャネルの論理のレベル,NチャネルMOSFET IC,220ab mosfetに |
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製品の説明
IRFB7434PBFのN-Channel 40 V 195A （穴TO-220ABを通したTc） 294W （Tc）
特徴:
| 部門 | 単一のFETs、MOSFETs |
| Mfr | インフィニオン・テクノロジーズ |
| プロダクト状態 | 活動的 |
| FETのタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET （金属酸化物） |
| 流出させなさいに源の電圧（Vdss） | 40ボルト |
| 現在-連続的な下水管（ID）の@ 25°C | 195A （Tc） |
| ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds） | 6V、10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds | 1.6mOhm @ 100A、10V |
| Vgs （（最高） Th） @ ID | 3.9V @ 250µA |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs | 324 NC @ 10ボルト |
| Vgs （最高） | ±20V |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds | 10820 pF @ 25ボルト |
| 電力損失（最高） | 294W （Tc） |
| 実用温度 | -55°C | 175°C （TJ） |
| タイプの取付け | 穴を通して |
| 製造者装置パッケージ | TO-220AB |
| パッケージ/場合 | TO-220-3 |
追加的なリソース
| 属性 | 記述 |
| 他の名前 | SP001575514 |
| 2156-IRFB7434PBF | |
| IFEINFIRFB7434PBF | |
| 標準パッケージ | 50 |
データ映像:https://www.infineon.com/dgdl/irfb7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535616a43e1e55
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