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STPSC10H065BY-TR Smdのダイオードの表面の台紙のダイオード650 V 10A DPAK

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x商品の詳細
製造業者 | STMicroelectronics | 部門 | 単一のダイオード |
---|---|---|---|
プロダクト数 | STPSC10H065BY-TR | シリーズ | 、AEC-Q101自動車 |
プロダクト状態 | 活動的 | 技術 | SiC (炭化ケイ素)ショットキー |
電圧- DCの逆((最高) Vr) | 650V | 現在-調整される平均(Io) | 10A |
速度 | 回復時間> 500mA無し(Io) | 逆の回復時間(trr) | 0ns |
現在-逆の漏出@ Vr | 100 µA @ 650ボルト | キャパシタンス@ Vr、F | 480pF @ 0V、1MHz |
タイプの取付け | 表面の台紙 | パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63 |
製造者装置パッケージ | DPAK | 実用温度-接続点 | -40℃~175℃ |
ハイライト | Smd ダイオード表面 650 V 10A STPSC10H065BY-TR、Smd ダイオード 650 V 10A STPSC10H065BY-TR、Smd 650 V 10A STPSC10H065BY-TR,Smd Diodes 650 V 10A STPSC10H065BY-TR,Smds 650 V 10A STPSC10H065BY-TR |
製品の説明
STPSC10H065BY-TR ダイオード 650 V 10A 面実装 DPAK
データシート:STPSC10H065BY-TR
カテゴリー | 単一ダイオード |
製造元 | STマイクロエレクトロニクス |
シリーズ | 自動車、AEC-Q101 |
製品の状態 | アクティブ |
テクノロジー | SiC(炭化ケイ素)ショットキー |
電圧 - DC 逆方向 (Vr) (最大) | 650V |
電流 - 平均整流 (Io) | 10A |
スピード | 回復時間なし > 500mA (Io) |
逆回復時間 (trr) | 0ns |
電流 - 逆漏れ電流 @ Vr | 100μA@ 650V |
静電容量 @ Vr、F | 480pF @ 0V、1MHz |
取付タイプ | 表面実装 |
パッケージ・ケース | TO-252-3、DPak (2 リード + タブ)、SC-63 |
サプライヤーデバイスパッケージ | DPAK |
動作温度 - ジャンクション | -40℃~175℃ |
基本製品番号 | STPSC10 |
追加リソース
属性 | 説明 |
他の名前 | 497-18139-2 |
497-18139-1 | |
497-18139-6 | |
標準パッケージ | 2500 |
データ画像:https://www.st.com/resource/en/datasheet/stpsc10h065by-tr.pdf
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