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FCD1300N80Z Fet NチャネルMosfet回路800V 4A Tc 52W Tcの表面の台紙TO-252AA

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x商品の詳細
製造業者 | onsemi | 部門 | 単一のFETs、MOSFETs |
---|---|---|---|
プロダクト数 | FCD1300N80Z | シリーズ | SuperFET® II |
プロダクト状態 | ない新しい設計のために | 技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 800ボルト | 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 4A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V | (最高) @ ID、VgsのRds | 1.3Ohm @ 2A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4.5V @ 400µA | ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 21 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V | 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 880 pF @ 100ボルト |
電力損失(最高) | 52W (Tc) | 実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 | パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63 |
製造者装置パッケージ | TO-252AA | ||
ハイライト | nチャネルmosfet回路,n fetスイッチ回路,FCD1300N80Z |
製品の説明
FCD1300N80ZのN-Channel 800 V 4A (Tc)の52W (Tc)表面の台紙TO-252AA
データ用紙:FCD1300N80Z
部門 | 単一のFETs、MOSFETs |
Mfr | onsemi |
シリーズ | SuperFET II |
プロダクト状態 | ない新しい設計のために |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 800ボルト |
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25°C | 4A (Tc) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 1.3Ohm @ 2A、10V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 4.5V @400µA |
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs | 21 NC @ 10ボルト |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 880 pF @ 100ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 52W (Tc) |
実用温度 | - 55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | TO-252AA |
パッケージ/場合 | TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63 |
基礎プロダクト数 | FCD1300 |
追加的なリソース
属性 | 記述 |
他の名前 | FCD1300N80ZCT |
ONSONSFCD1300N80Z | |
FCD1300N80ZDKR | |
FCD1300N80ZTR | |
2156-FCD1300N80Z-OS | |
標準パッケージ | 2500 |
データ映像:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fcd1300n80z-d.pdf
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