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FCD1300N80Z Fet NチャネルMosfet回路800V 4A Tc 52W Tcの表面の台紙TO-252AA

起源の場所 米国
ブランド名 onsemi
証明 RoHS
モデル番号 FCD1300N80Z
最小注文数量 2500 PCS
価格 Negotiable
パッケージの詳細 2500 PCS/Tape
受渡し時間 2-3日
支払条件 L/C、D/A、D/P、T/T
供給の能力 12.5K PCS

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商品の詳細
製造業者 onsemi 部門 単一のFETs、MOSFETs
プロダクト数 FCD1300N80Z シリーズ SuperFET® II
プロダクト状態 ない新しい設計のために 技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 800ボルト 現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C 4A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V (最高) @ ID、VgsのRds 1.3Ohm @ 2A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4.5V @ 400µA ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 21 NC @ 10ボルト
Vgs (最高) ±20V 入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 880 pF @ 100ボルト
電力損失(最高) 52W (Tc) 実用温度 -55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙 パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
製造者装置パッケージ TO-252AA
ハイライト

nチャネルmosfet回路

,

n fetスイッチ回路

,

FCD1300N80Z

メッセージ
製品の説明

FCD1300N80ZのN-Channel 800 V 4A (Tc)の52W (Tc)表面の台紙TO-252AA

 

データ用紙:FCD1300N80Z

部門 単一のFETs、MOSFETs
Mfr onsemi
シリーズ SuperFET II
プロダクト状態 ない新しい設計のために
FETのタイプ N-Channel
技術 MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss) 800ボルト
現在-連続的な下水管(ID)の@ 25°C 4A (Tc)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) 10V
(最高) @ ID、VgsのRds 1.3Ohm @ 2A、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID 4.5V @400µA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs 21 NC @ 10ボルト
Vgs (最高) ±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds 880 pF @ 100ボルト
FETの特徴 -
電力損失(最高) 52W (Tc)
実用温度 - 55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け 表面の台紙
製造者装置パッケージ TO-252AA
パッケージ/場合 TO-252-3、DPak (2つの鉛+タブ)、SC-63
基礎プロダクト数 FCD1300

追加的なリソース

属性 記述
他の名前 FCD1300N80ZCT
  ONSONSFCD1300N80Z
  FCD1300N80ZDKR
  FCD1300N80ZTR
  2156-FCD1300N80Z-OS
標準パッケージ 2500

データ映像:https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fcd1300n80z-d.pdf
FCD1300N80Z Fet NチャネルMosfet回路800V 4A Tc 52W Tcの表面の台紙TO-252AA 0